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　　化學氣相蒸鍍是使用一種或多種氣體，在一加熱的固體基材上發生化學反應，並鍍上一層固態薄膜。

　　化學氣相蒸鍍缺點:

　　1、熱力學及化學反應機製不易了解或不甚了解

　　2、需要在高溫下進行，有些基材不能承受，甚至和鍍膜產生作用

　　3、反應氣體可能具腐蝕性、毒性或爆炸性，處理時需小心

　　4、反應生成物可能殘餘在鍍膜上，成為雜質

　　5、基材的遮蔽很難

　　化學氣相蒸鍍優點:

　　1、真空度要求不高，甚至可以不需要真空，例如熱噴覆

　　2、沉積速率快，大氣CVD可以達到1μm/min

　　3、與PVD比較的話。化學量論組成或合金的鍍膜較容易達成

　　4、鍍膜的成份多樣化，如金屬、非金屬、半導體、光電材料、鑽石薄膜

　　5、可以在複雜形狀的基材鍍膜，甚至滲入多孔的陶瓷

　　6、厚度的均勻性良好，低壓CVD甚至可以同時鍍數十芯片

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